ST和Soitec合作开发 SiC 晶圆制造技术

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集微网消息，据日媒报道，STMicroelectronics 和 Soitec 宣布就 SiC 晶圆制造技术合作达成协议。

ST表示，通过此次合作，ST未来200mm晶圆生产将采用Soitec的SmartSiC技术，旨在通过中期量产增加器件和模块产量，认证工作将在未来18个月内开展。

意法半导体汽车与分立产品部总裁Marco Monti解释说，技术合作旨在不断提高产量和质量。Soitec 的 SmartSiC 是该公司专有的 SmartCut 工艺在 SiC 上的应用，其中将高质量的 SiC 供体晶圆切成薄片并键合到低电阻多晶 SiC 处理晶圆上。高质量的供体晶圆是可重复使用的，从而减少了整个制造过程中所需的能源消耗，Soitec 将在加速采用 SiC 方面发挥重要作用。